BCP55.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BCP55.115
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.204
Высота1.7 mm
Высота 1.7 мм
Информация о производителе
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныеБиполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.204
Высота1.7 mm
Высота 1.7 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
КорпусTO261
длина6.7 mm
другие названия товара №BCP55 T/R
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.63 at 5 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500
кол-во в упаковке1000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current1.5 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.5 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain63
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
number of elements per chip1
package typeSOT-223
партномер8001781286
pd - рассеивание мощности960 mW
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:24:35
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль