BCP5416TA, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1 А, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP5416TA
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberBCP5416 ->
configurationSingle Dual Collector
76
+
Бонус: 1.52 !
Бонусная программа
Итого: 76
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberBCP5416 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
Высота 1.65 мм
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage (v)45
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)45 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height1.55
package length6.5
package width3.5
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности2000 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCP54
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вес, г0.005
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль