BCP5316TA, Diodes Inc BCP5316TA PNP Transistor, 1 A, 80 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP5316TA
BJT & Bipolar TransistorsБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberBCP5316 ->
configurationSingle Dual Collector
57
+
Бонус: 1.14 !
Бонусная программа
Итого: 57
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
BJT & Bipolar TransistorsБиполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberBCP5316 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
Высота 1.65 м
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250 at - 150 mA at - 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at - 5 mA at - 2 V
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5 50mA 500mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain25 5mA 2V|40 150mA 2V|25 500mA 2V|100 150mA 2V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности2 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCP53
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вес, г8
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль