BCP53.115, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 650мВт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP53,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCP53.115, Транзистор PNP, биполярный, 80В ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
83
+
Бонус: 1.66 !
Бонусная программа
Итого: 83
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector-emitter breakdown voltage80V
длина6.7 mm
другие названия товара №9,33917E+11
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.63 at 5 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 5 mA, 2 V, 63 at 150 mA, 2 V, 40 at 500 m
кол-во в упаковке1000
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum dc collector current1A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
партномер8007276959
pd - power dissipation1W
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)145 MHz
размер фабричной упаковки1000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки15:15:12
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль