BCP53.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки биполярныекол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage80V
длина6.7 mm
другие названия товара №933917330115
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныекол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage80V
длина6.7 mm
другие названия товара №933917330115
Высота 1.7 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.63 at 5 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 5 mA, 2 V, 63 at 150 mA, 2 V, 40 at 500 m
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum dc collector current1A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
pd - power dissipation1W
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)145 MHz
размер фабричной упаковки1000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-3
вес, г0.219
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль