BCP52TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Вес и габариты
длина6.7 mm
Высота 1.65 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Вес и габариты
длина6.7 mm
Высота 1.65 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.40
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 m
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияBCP52
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вес, г0.112
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль