BCP5216TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP5216TA
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 60V 1A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberBCP5216 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage-60 V
maximum collector emitter voltage-60 V
maximum dc collector current-1 A
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency150 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8006781861
pd - рассеивание мощности2000 mW
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCP52
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки22:22:28
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль