BCP51TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP51TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP51TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberBCP51 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce40 @ 150mA, 2V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
frequency - transition125MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.40
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)45 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
партномер8004841585
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCP51
supplier device packageSOT-223
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки22:22:28
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль