BCM857DS.115, Транзистор: PNP x2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCM857DS,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCM857DS.115, Транзистор: PNP x2
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
62
+
Бонус: 1.24 !
Бонусная программа
Итого: 62
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
длина3.1 mm
другие названия товара №BCM857DS T/R
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA at 5 V
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation380 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain200
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
number of elements per chip2
package typeSOT-457(SC-74)
партномер8009344935
pd - рассеивание мощности380 mW
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)175 MHz
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationIsolated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-457-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки15:15:15
Ширина1.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль