BCM856BSH, Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, 65 В, 100 мА, 200 мВт, 200 hFE, TSSOP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCM856BSH
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage200 mV
collector- emitter voltage vceo max65 V
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage200 mV
collector- emitter voltage vceo max65 V
configurationDual
dc collector/base gain hfe min200
другие названия товара №934062056125
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft175 MHz
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
manufacturerNexperia
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
package / caseTSSOP-6
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation200 mW
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)175 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки3000
subcategoryTransistors
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityPNP
упаковка / блокTSSOP-6
вес, г0.01
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль