BCM856BS,115, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCM856BS,115
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeМатрица биполярных (BJT) транзисторов 2 PNP (двойная) согласованная пара 65 В 100 мА 175 МГц 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Вес и габариты
base product numberBCM856 ->
collector-emitter breakdown voltage65V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeМатрица биполярных (BJT) транзисторов 2 PNP (двойная) согласованная пара 65 В 100 мА 175 МГц 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Вес и габариты
base product numberBCM856 ->
collector-emitter breakdown voltage65V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition175MHz
htsus8541.29.0095
maximum dc collector current100mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pd - power dissipation300mW
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package6-TSSOP
transistor type2 PNP (Dual) Matched Pair
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)65V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль