BC869,115, Bipolar Transistors - BJT BC869/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC869,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC869,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 20V 1A
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBC869 ->
collector-emitter breakdown voltage20V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce85 @ 500mA, 1V
длина4.6 mm
другие названия товара №9,33679E+11
eccnEAR99
frequency - transition140MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.50 at 5 mA, 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)85
кол-во в упаковке1000
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum collector base voltage-32 V
maximum collector emitter voltage-20 V
maximum dc collector current1A
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.35 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain50
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8005510440
pd - power dissipation1.2W
pd - рассеивание мощности500 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max1.2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки23:06:03
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль