BC859C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC859C
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
92
+
Бонус: 1.84 !
Бонусная программа
Итого: 92
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, SOT-23, REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:420hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-300mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:2mA; Device Marking:BC859C; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:420; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:4C; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vcbo:30V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
base product numberBC859 ->
collector- base voltage vcbo30 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min420 at 2 mA at 5 V
dc current gain hfe max420 at 2 mA at 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce420 @ 2mA, 5V
длина3 mm
другие названия товара №9,33629E+11
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft100 MHz
height1 mm
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.420 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA, 5 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerNexperia
maximum dc collector current0.1 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape
партномер8002986490
part # aliasesBC859C T/R
pd - power dissipation250 mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityPNP
transistor typePNP
unit weight0.000282 oz
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки1:25:31
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль