Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS LOW NOISE

Подробное описание

43 ₽

– +

Бонус: 0.86 !

Бонусная программа

Итого: 43 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	3 mm
другие названия товара №	/T3 BC859C
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	420 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420 at 2 mA at 5 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	30 V
pd - рассеивание мощности	250 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	10000
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
упаковка / блок	SOT-23-3
вес, г	0.008
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.4 мм

Отзывов нет

Кнопки

BC859C,235