BC858C-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC858C-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC858C-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 30В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:30 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:420
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage-30 V
maximum collector emitter voltage-30 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum dc collector current:100 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation350 mW
minimum dc current gain420
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8017537694
pd - power dissipation:310 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC858
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки21:54:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль