BC858BHZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC858BHZGT116
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm BC858BHZGT116, Биполярный транзистор, PNP ...
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
88
+
Бонус: 1.76 !
Бонусная программа
Итого: 88
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTЭтот продукт доступен для оценки и проектирования. При желании одобрения этого устройства, пожалуйста, свяжитесь с местным представительством ROHM.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberBC858 ->
частота перехода ft250МГц
collector emitter voltage max30В
continuous collector current100мА
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce210 @ 2mA, 5V
dc усиление тока hfe210hFE
другие названия товара №BC858BHZG
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.480
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)210
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8000019367
pd - рассеивание мощности350 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation350мВт
power - max200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
стиль корпуса транзистораSOT-23
supplier device packageSST3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки22:33:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль