BC858B.215, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC858B,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC858B.215, Транзистор: PNP, биполярный, 30В ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
Структураpnp
БрендNexperia B.V.
Основные
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В30
Корпусsot23
base product numberBC858 ->
collector-emitter breakdown voltage30V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce220 @ 2mA, 5V
диапазон рабочих температур, ос-65...150
длина3 mm
другие названия товара №9,3359E+11
eccnEAR99
familyTransistors-Bipolar(BJT)-Single
frequency - transition100MHz
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц100
hfe при напряжении к-э, в5
hfe при токе коллектора, а0.002
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.220 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA, 5 V
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальная рассеиваемая мощность ,вт0.25
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)0.1
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в30
manufacturerNXP Semiconductors
maximum collector base voltage-30 V
maximum collector emitter voltage-30 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain220
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingDigi-Reel®
партномер8013417731
part statusActive
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
standard package1
статический коэффициент передачи тока hfe мин220
supplier device packageTO-236AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки14:23:56
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль