BC858ALT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 300мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC858ALT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC858ALT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 30В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V PNP
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo-80 V
collector-emitter saturation voltage-0.65 V
collector- emitter voltage vceo max-65 V
configurationSingle
continuous collector current-0.1 A
dc collector/base gain hfe min125
длина2.9 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current0.1 A
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain125@2mA@5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.65 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseSOT-23-3
package height0.94
package length02.09.2024
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8017532533
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation225 mW
pd - рассеивание мощности225 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Small Signal
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
seriesBC858AL
серияBC858AL
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityPNP
typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:21:36
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль