BC857SH6327XTSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 PNP (двойной) 45 В 100 мА 250 МГц 250 мВт Поверхностный монтаж PG-SOT363-6
Вес и габариты
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberBC857 ->
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 PNP (двойной) 45 В 100 мА 250 МГц 250 мВт Поверхностный монтаж PG-SOT363-6
Вес и габариты
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberBC857 ->
configurationDual
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
другие названия товара №BC 857S H6327 SP000747456
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition250MHz
hts8541.29.00.75
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.630
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.85(Typ)@5mA@100mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)250
maximum transition frequency (mhz)250(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain200@2mA@5V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
number of elements per chip2
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
package height0.9(Max)
package length2
package width1.25
packagingTape and Reel
part statusLTB
pcb changed6
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBC857
standard package nameSOT-26
supplier device packagePG-SOT363-6
supplier packageSOT-363
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
transistor type2 PNP (Dual)
typePNP
упаковка / блокSOT-363-6
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль