BC857CW.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC857CW.115
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.038
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
3
+
Бонус: 0.06 !
Бонусная программа
Итого: 3
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныеБиполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.038
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
КорпусSC703
base product numberBC857 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter breakdown voltage45V
collector- emitter voltage vceo max-45 V
configurationSingle
continuous collector current-100 mA
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min420
dc current gain hfe max420 at 2 mA at 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce420 @ 2mA, 5V
длина2.2 mm
другие названия товара №BC857CW T/R
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft100 MHz
height1 mm
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.420 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
length2.2 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
manufacturerNexperia
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage-45 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation200 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain420
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
package typeSOT-323(SC-70)
packagingReel
партномер8001779383
part # aliasesBC857CW T/R
pd - power dissipation200mW
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max200mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageSOT-323
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
unit weight0.000988 oz
упаковка / блокSC-70-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки1:24:47
Ширина1.35 мм
width1.35 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль