BC857CDW1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC857CDW1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
96
+
Бонус: 1.92 !
Бонусная программа
Итого: 96
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-363-6; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:270hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo-50 V
collector-emitter saturation voltage-0.65 V
collector- emitter voltage vceo max-45 V
configurationDual
continuous collector current-0.1 A
dc collector/base gain hfe min420
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height0.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-70-6
packagingReel
партномер8002975996
pd - power dissipation380 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesBC857CDW1
transistor polarityPNP
unit weight0.000988 oz
Время загрузки1:38:01
width1.25 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль