BC857C,215

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы биполярныеБиполярные транзисторы - BJT PNP GP 45V 100mA
Вес и габариты
base product numberBC857 ->
Корпус
чувствительностьк влажности MSL1
2
+
Бонус: 0.04 !
Бонусная программа
Итого: 2
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы биполярныеБиполярные транзисторы - BJT PNP GP 45V 100mA
Вес и габариты
base product numberBC857 ->
Корпус
чувствительностьк влажности MSL1
collector-emitter breakdown voltage45V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce420 @ 2mA, 5V
диапазон рабочих температур-65…+150 С
длина3 mm
другие названия товара №BC857C T/R
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиленияhfe max-420(при 2 мА, 5 В)
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.420 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA at 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
максимальный токколлектора(Iк max)-0.2 А
maximum dc collector current100mA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
мощностьрассеиваемая коллектора(Pк max)-250 мВт
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
назначениеуниверсальное
operating temperature150В°C (TJ)
описание45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
способ монтажаповерхностный(SMT)
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковкаReel
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль