BC857BW,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC857BW,115
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
37
+
Бонус: 0.74 !
Бонусная программа
Итого: 37
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBC857 ->
collector-emitter breakdown voltage45V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce220 @ 2mA, 5V
длина2.2 mm
другие названия товара №BC857BW T/R
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.220 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA at 5 V
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector emitter voltage-45 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation200 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain220
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
package typeSOT-323(SC-70)
партномер8006614354
pd - power dissipation200mW
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageSOT-323
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки15:16:02
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль