BC857BV,115, Package/Enclosure SOT666
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC857BV,115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia B.V. |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo: | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 400 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 45 V |
| configuration: | Dual |
| continuous collector current: | -100 mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 200 |
| dc current gain hfe max: | 200 at 2 mA, 5 V |
| dc ток коллектора | -100мА |
| dc усиление тока hfe | 200hFE |
| emitter- base voltage vebo: | 5 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 4000 |
| gain bandwidth product ft: | 100 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| количество выводов | 6вывод(-ов) |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| manufacturer: | Nexperia |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector emitter voltage | 45 V |
| maximum dc collector current | 100 mA |
| maximum dc collector current: | 100 mA |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 100 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum power dissipation | 200 mW |
| minimum dc current gain | 200 |
| minimum operating temperature: | -65 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение коллектор-эмиттер | -45В |
| number of elements per chip | 2 |
| package / case: | SOT-666-6 |
| package type | SSMini |
| партномер | 8003787462 |
| part # aliases: | 9,34057E+11 |
| pd - power dissipation: | 300 mW |
| pin count | 6 |
| полярность транзистора | PNP |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| qualification: | AEC-Q101 |
| рассеиваемая мощность | 200мВт |
| стиль корпуса транзистора | SOT-666 |
| subcategory: | Transistors |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Isolated |
| transistor polarity: | PNP |
| transistor type | PNP |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| Время загрузки | 14:28:19 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
