BC857BS-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC857BS-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC857BS-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
70
+
Бонус: 1.4 !
Бонусная программа
Итого: 70
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo-50 V
collector-emitter saturation voltage-400 mV
collector- emitter voltage vceo max-45 V
configurationDual
dc collector/base gain hfe min220 at-2 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector emitter voltage-45 V
maximum dc collector current-200 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+125 C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain220
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package / caseSOT-363-6
package typeSOT-363(SC-88)
packagingCut Tape or Reel
партномер8006259979
pd - power dissipation200 mW
pin count6
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesBC857B
subcategoryTransistors
transistor configurationIsolated
transistor polarityPNP
transistor typePNP
Время загрузки21:59:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль