BC857BS-13-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC857BS-13-F
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
75
+
Бонус: 1.5 !
Бонусная программа
Итого: 75
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Dual
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:220
dc current gain hfe max:475
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8015521423
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC857B
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:22:35
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль