BC857BQAZ, Bipolar Transistors - BJT BC857BQA/SOT1215/ DFN1010D-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC857BQAZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC857BQAZ, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0011
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0011
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
current - collector cutoff (max)15nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce220 @ 2mA, 5V
другие названия товара №9,34069E+11
frequency - transition100MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
квалификацияAEC-Q101
manufacturerNexperia USA Inc.
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C(TJ)
package / case3-XDFN Exposed Pad
packagingCut Tape(CT)
партномер8006256172
part statusDiscontinued at Digi-Key
подкатегорияTransistors
power - max280mW
размер фабричной упаковки5000
seriesAutomotive, AEC-Q101
supplier device packageDFN1010D-3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокDFN1010D-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки23:05:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль