BC857BM,315, Bipolar Transistors - BJT BC857BM/SOT883/XQFN3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC857BM,315
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTrans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.01 |
Информация о производителе | |
Производитель | Nexperia B.V. |
Бренд | Nexperia B.V. |
Основные | |
automotive | Yes |
collector- base voltage vcbo: | 50 V |
collector-emitter saturation voltage: | 200 mV |
collector- emitter voltage vceo max: | 45 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
dc collector/base gain hfe min: | 220 at 2 mA, 5 V |
dc current gain hfe max: | 220 at 2 mA, 5 V |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 10000 |
gain bandwidth product ft: | 100 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
manufacturer: | Nexperia |
maximum collector base voltage (v) | 50 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.2 0.5mA 10mA|0.4 5mA 100mA |
maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
maximum dc collector current: | 100 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.1 |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 430 |
maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
minimum dc current gain | 220 2mA 5V |
minimum operating temperature: | -65 C |
minimum operating temperature (°c) | -65 |
mounting | Surface Mount |
mounting style: | SMD/SMT |
number of elements per chip | 1 |
package/case: | DFN1006-3 |
packaging | Tape and Reel |
packaging: | Reel, Cut Tape, MouseReel |
партномер | 8004639723 |
part # aliases: | 9,34057E+11 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation: | 250 mW |
pin count | 3 |
ppap | Unknown |
product category | Bipolar Small Signal |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
qualification: | AEC-Q101 |
subcategory: | Transistors |
supplier package | DFN |
technology: | Si |
transistor polarity: | PNP |
type | PNP |
Время загрузки | 15:16:42 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26