Name: BC857BLP4-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Brand: DIODES INC.
SKU: BC857BLP4-7B

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC857BLP4-7B, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	8
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	50 V
collector-emitter saturation voltage:	250 mV
collector- emitter voltage vceo max:	45 V
configuration:	Single
continuous collector current:	-100 mA
dc collector/base gain hfe min:	220 at-2 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
gain bandwidth product ft:	100 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	100 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	DFN1006H4-3
партномер	8005058151
pd - power dissipation:	400 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	BC857B
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	22:22:36

Отзывов нет

Кнопки

Теги: