Name: BC857BFZ-7B, Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV
Brand: DIODES INC.
SKU: BC857BFZ-7B

BC857BFZ-7B, Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC857BFZ-7B, Bipolar Transistors - BJT PNP SS ...

Подробное описание

Бренд: DIODES INC.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.

Все характеристики

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTBC84x & BC85x Automotive TransistorsDiodes Inc BC84x & BC85x automotive transistors are designed for switching and AF amplifier applications. The BC84x and BC85x transistors are complementary NPN and PNP transistor series which are qualified to AEC-Q101 standards for high reliability. The SOT21 package size is available on reels and is ideally suited for automatic insertion.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
automotive	No
collector- base voltage vcbo:	50 V
collector-emitter saturation voltage:	250 mV
collector- emitter voltage vceo max:	45 V
configuration	Single
configuration:	Single
continuous collector current:	-100 mA
dc collector/base gain hfe min:	220
dc current gain hfe max:	475
eccn (us)	ear99
emitter- base voltage vebo:	5 V
eu rohs	compliant
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
gain bandwidth product ft:	200 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	no lead
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)	1@0.5mA@10mA\|1.1@5mA@100mA
maximum collector base voltage (v)	50
maximum collector cut-off current (na)	15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.175@0.5mA@10mA\|0.5@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)	45
maximum dc collector current:	100 mA
maximum dc collector current (a)	0.1
maximum emitter base voltage (v)	6
maximum operating temperature:	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	925
maximum transition frequency (mhz)	270(Typ)
minimum dc current gain	100@10uA@5V\|200@2mA@5V
minimum operating temperature:	-65 C
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	surface mount
mounting style:	SMD/SMT
number of elements per chip	1
package / case:	X2-DFN0606-3
packaging	Tape and Reel
партномер	8005058150
part status	active
pcb changed	3
pd - power dissipation:	310 mW
pin count	3
ppap	No
product category	Bipolar Small Signal
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	BC857B
standard package name	DFN
subcategory:	Transistors
supplier package	X2-DFN
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
type	PNP
Время загрузки	22:20:49

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)BC857BFZ-7B