BC857B-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки биполярныекол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АББиполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC857 ->
collector- base voltage vcbo-50 V
collector-emitter saturation voltage-650 mV
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныекол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АББиполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC857 ->
collector- base voltage vcbo-50 V
collector-emitter saturation voltage-650 mV
collector- emitter voltage vceo max-45 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)15nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min220 at-2 mA, -5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce220 @ 2mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition200MHz
gain bandwidth product ft200 MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at -2 mA, - 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current-200 mA
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation300 mW
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max300mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBC857B
серияBC857B
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-23-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вес, г0.036
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль