BC857AW-7-F, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC857AW-7-F
Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC857 ->
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
3
+
Бонус: 0.06 !
Бонусная программа
Итого: 3
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC857 ->
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce125 @ 2mA, 5V
длина2.2 mm
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBC857A
supplier device packageSOT-323
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль