BC856W, Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856W
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.02 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 65 V |
| configuration | Single |
| dc collector/base gain hfe min | 125 |
| dc current gain hfe max | 125 at 2 mA at 5 V |
| длина: | 2.2 mm |
| другие названия товара №: | 9,34022E+11 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 100 MHz |
| height | 1 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.: | 125 at 2 mA, 5 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 125 |
| конфигурация: | Single |
| квалификация: | AEC-Q101 |
| length | 2.2 mm |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора: | 0.1 A |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum dc collector current | 0.1 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| minimum operating temperature | -65 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo): | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo): | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.: | 65 V |
| package / case | SOT-323 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8007241827 |
| part # aliases | BC856W T/R |
| pd - power dissipation | 200 mW |
| pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| подкатегория: | Transistors |
| полярность транзистора: | PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft): | 100 MHz |
| производитель: | Nexperia |
| размер фабричной упаковки: | 3000 |
| rohs | Details |
| ширина: | 1.35 mm |
| технология: | Si |
| тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка: | Nexperia |
| transistor polarity | PNP |
| unit weight | 0.002116 oz |
| упаковка / блок: | SOT-323-3 |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:25:36 |
| высота: | 1 mm |
| width | 1.35 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
