BC856BWT1G, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856BWT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC856BWT1G, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)65
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)150
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
minimum dc current gain220@2mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
packagingTape and Reel
партномер8001010766
part statusActive
pcb changed3
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
standard package nameSOT
supplier packageSC-70
typePNP
Время загрузки0:21:12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль