Name: BC856BW-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 200мВт, SOT323
Brand: DIODES INC.
SKU: BC856BW-7-F

BC856BW-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 200мВт, SOT323

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC856BW-7-F, Транзистор: PNP, биполярный ...

Подробное описание

Бренд: DIODES INC.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Высота	1 mm
Высота	1 мм
Информация о производителе

Все характеристики

16 ₽

- +

Бонус: 0.32 !

Бонусная программа

Итого: 16 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMDБиполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Высота	1 mm
Высота	1 мм
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector-emitter breakdown voltage	65V
длина	2.2 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	220 at -2 mA, - 5 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
maximum collector base voltage	-80 V
maximum collector emitter voltage	-65 V
maximum dc collector current	100mA
maximum emitter base voltage	-5 V
maximum operating frequency	200 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	200 mW
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	220
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	650 mV
number of elements per chip	1
package type	SOT-323(SC-70)
партномер	8002517774
pd - power dissipation	200mW
pd - рассеивание мощности	200 mW
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	200 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	BC856B
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor configuration	Single
transistor type	PNP
упаковка / блок	SOT-323-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	21:59:27
Ширина	1.35 мм

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)BC856B BC856BW-7-F