BC856BW,135 транзистор: PNP 65V 0,1A hоэ 200-450, 0,2W, 100Мгц

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856BW,135
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC856BW,135 транзистор: PNP 65V 0,1A hоэ ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
0,20
+
Бонус: 0.004 !
Бонусная программа
Итого: 0,20
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
PNP 65V 0,1A hоэ 200-450, 0,2W, 100Мгц
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
длина2.2 mm
другие названия товара №9,34022E+11
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.220 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA, 5 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
партномер8012582427
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки10000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокSOT-323-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:23:58
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль