BC856BQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856BQ-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC856BQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
49
+
Бонус: 0.98 !
Бонусная программа
Итого: 49
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8018054220
pd - power dissipation:310 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:PNP
Время загрузки21:59:29
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль