BC856B,215

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 100MA 65V
Корпус
collector-emitter breakdown voltage65V
диапазон рабочих температур, ос-65...150
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 100MA 65V
Корпус
collector-emitter breakdown voltage65V
диапазон рабочих температур, ос-65...150
длина3 mm
другие названия товара №BC856B T/R
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц100
Высота 1 мм
hfe при напряжении к-э, в5
hfe при токе коллектора, а0.002
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.220 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at 2 mA at 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальная рассеиваемая мощность ,вт0.25
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)0.1
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(uкбо ма80
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в65
maximum dc collector current100mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
статический коэффициент передачи тока hfe мин125
Структураpnp
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль