BC856AS-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC856AS-7
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
88
+
Бонус: 1.76 !
Бонусная программа
Итого: 88
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.006
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configuration:Dual
dc collector/base gain hfe min:125
dc current gain hfe max:250
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8006731143
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC856A
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:20:49
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль