BC856AQC-QZ, BC856AQC-QZ PNP Transistor, -100 mA, -65 V DFN1412D-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856AQC-QZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC856AQC-QZ, BC856AQC-QZ PNP Transistor ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe Nexperia PNP general-purpose transistor in an ultra small DFN1412D-3 (SOT8009) leadless surface mounted device (SMD) plastic package with side-wettable flanks.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:650 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:125 at-2 mA, -5 V
dc current gain hfe max:250 at-2 mA, -5 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum collector emitter voltage-65 V
maximum dc collector current-100 mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum dc current gain125
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-8009-3
package typeDFN1412D-3
партномер8020599292
part # aliases:9,34664E+11
pd - power dissipation:450 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки14:28:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль