BC856A-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 350мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856A-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC856A-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 65В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор PNP 65V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberBC856 ->
collector-emitter breakdown voltage65V
current - collector cutoff (max)15nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce125 @ 2mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage-80 V
maximum collector emitter voltage-65 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency200 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
minimum dc current gain125
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8021863700
pd - power dissipation300mW
pin count3
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23-3
transistor configurationSingle
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)65V
Время загрузки22:06:57
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль