BC856A,215, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.25W
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856A,215
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 65V 100mA
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 1 mm |
| Высота | 1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| base product number | BC856 -> |
| current - collector cutoff (max) | 15nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 100mA |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 125 @ 2mA, 5V |
| длина | 3 mm |
| другие названия товара № | 9,3359E+11 |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 100MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 125 at 2 mA, 5 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| maximum collector base voltage | -80 V |
| maximum collector emitter voltage | -65 V |
| maximum dc collector current | -100 mA |
| maximum emitter base voltage | -5 V |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 250 mW |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 125 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 65 V |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| package type | SOT-23 |
| партномер | 8010501829 |
| pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power - max | 250mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| supplier device package | TO-236AB |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 65V |
| Время загрузки | 1:25:39 |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
