BC856,215, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.25 Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC856,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC856,215, Биполярный транзистор, PNP, 65 В ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
Корпусsot-23
base product numberBC856 ->
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce125 @ 2mA, 5V
длина3 mm
другие названия товара №BC856 T/R
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.125 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage65 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain125
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8263916412
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic650mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)65V
Время загрузки14:32:22
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль