BC850CW.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC850CW.115
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныеБиполярные транзисторы - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
КорпусSC703
collector- base voltage vcbo50 V
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min420 at 2 mA at 5 V
dc current gain hfe max420 at 2 mA at 5 V
длина2.2 mm
другие названия товара №9,34022E+11
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.420 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420 at 2 mA, 5 V
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length2.2 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerNexperia
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current0.1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation200 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain420
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
number of elements per chip1
package / caseSOT-323
package typeUMT
packagingReel
партномер8001782976
part # aliasesBC850CW T/R
pd - power dissipation200 mW
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.002116 oz
упаковка / блокSOT-323-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:23:58
Ширина1.35 мм
width1.35 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль