Name: BC850BW
Brand: NXP Semiconductor

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC850BW

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.02
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor

Все характеристики

93 ₽

– +

Бонус: 1.86 !

Бонусная программа

Итого: 93 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANS, NPN, 45V, 100MHZ, SOT-323-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450hFE; RF Transistor Case:SOT-323; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.02
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные
base product number	BC850 ->
collector- base voltage vcbo	50 V
collector- emitter voltage vceo max	45 V
configuration	Single
current - collector cutoff (max)	15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	100mA
dc collector/base gain hfe min	200
dc current gain hfe max	200 at 2 mA at 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	200 @ 2mA, 5V
длина	2.2 mm
другие названия товара №	9,34022E+11
eccn	EAR99
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	3000
frequency - transition	100MHz
gain bandwidth product ft	100 MHz
height	1 mm
htsus	8541.21.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	200 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
length	2.2 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
manufacturer	Nexperia
maximum dc collector current	0.1 A
maximum operating temperature	+150 C
минимальная рабочая температура	65 C
minimum operating temperature	-65 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	45 V
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	SOT-323
packaging	Reel
партномер	8002982397
part # aliases	BC850BW T/R
pd - power dissipation	200 mW
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	200mW
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	3000
reach status	REACH Unaffected
rohs	Details
rohs status	ROHS3 Compliant
series	Automotive, AEC-Q101 ->
supplier device package	SOT-323
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
unit weight	0.002116 oz
упаковка / блок	SOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic	600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	45V
Время загрузки	1:25:42
Ширина	1.35 мм
width	1.35 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

NXP Semiconductor Транзисторы биполярные (BJTs)BC850BW