BC850B,215, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC850B,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC850B,215, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
9
+
Бонус: 0.18 !
Бонусная программа
Итого: 9
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBC850 ->
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
длина3 mm
другие названия товара №BC850B T/R
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA at 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain200
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8003209273
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки14:27:48
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль