Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	30V
длина	2.2 mm
Высота	1 мм

13 ₽

– +

Бонус: 0.26 !

Бонусная программа

Итого: 13 ₽

Купить

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	30V
длина	2.2 mm
Высота	1 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420 at 2 mA, 5 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
maximum dc collector current	100mA
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	600 mV
pd - power dissipation	200mW
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	300 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	BC848C
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-323-3
вес, г	0.005
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.35 мм

Отзывов нет

Кнопки

BC848CW-7-F