BC848ALT1G, General Purpose Transistor, NPN, 30V, SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC848ALT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC848ALT1G, General Purpose Transistor, NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Transistors, BipolarБиполярные транзисторы - BJT 100mA 30V NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo30 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
длина2.9 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height0.94 mm
hts8541.21.00.75
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
length2.9 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
maximum collector base voltage30 V dc
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector emitter voltage30 V
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current0.1 A
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation300 mW
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain110@2mA@5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseSOT-23-3
package height0.94
package length02.09.2024
package typeSOT-23
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8009174864
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation225 mW
pd - рассеивание мощности225 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
seriesBC848AL
серияBC848AL
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
unit weight0.050717 oz
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:20:51
Ширина1.3 мм
width1.3 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль