Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.033 |
Высота | 0.94 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
collector- base voltage vcbo | 30 V |
collector-emitter saturation voltage | 0.6 V |
collector- emitter voltage vceo max | 30 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 0.1 A |
длина | 2.9 mm |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity | 3000 |
gain bandwidth product ft | 100 MHz |
height | 0.94 mm |
hts | 8541.21.00.75 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
конфигурация | Single |
lead shape | Gull-wing |
length | 2.9 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
manufacturer | ON Semiconductor |
material | Si |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
maximum collector base voltage | 30 V dc |
maximum collector base voltage (v) | 30 |
maximum collector cut-off current (na) | 15 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
maximum collector emitter voltage | 30 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 30 |
maximum dc collector current | 0.1 A |
maximum dc collector current (a) | 0.1 |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating frequency | 100 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 300 mW |
maximum power dissipation (mw) | 300 |
maximum transition frequency (mhz) | 100(Min) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 110@2mA@5V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
package / case | SOT-23-3 |
package height | 0.94 |
package length | 02.09.2024 |
package type | SOT-23 |
package width | 01.03.2024 |
packaging | Reel |
партномер | 8002981686 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 225 mW |
pd - рассеивание мощности | 225 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
rohs | Details |
series | BC848AL |
серия | BC848AL |
standard package name | SOT |
supplier package | SOT-23 |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
type | NPN |
unit weight | 0.050717 oz |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:38:01 |
Ширина | 1.3 мм |
width | 1.3 mm |