BC848A-7-F, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC848A-7-F
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC848 ->
current - collector cutoff (max)15nA
current - collector (ic) (max)100mA
3
+
Бонус: 0.06 !
Бонусная программа
Итого: 3
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC848 ->
current - collector cutoff (max)15nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce110 @ 2mA, 5V
длина3.05 mm
eccnEAR99
frequency - transition300MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max300mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBC848A
supplier device packageSOT-23-3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль